三相全控桥式整流电路中,可控硅承受的最大正反向电压值为整流变压器副边相电压值U2的()倍。
A.1.0
B.
C.
D.
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A、90
B、180
C、120
D、150
A、0~90
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D、0~150
A.0.45
B.1.0
C.
D.0.9
A、1
B、
C、2
D、
A、不变
B、无规变化
C、变大
D、变小
A、正弦波
B、尖脉冲
C、宽形脉冲
D、负脉冲
A、外电路的负载
B、可控硅的通态平均电流
C、可控硅A~K之间的电压
D、触发电压
A、越大越好
B、越小越好
C、适中为好
D、无所谓
A、UM=UM
B、UM=(2~3)UM
C、Ue=(5~10)UM
D、Ue≥10UM
A、A~K之间加正向电压
B、A~K之间加反向电压
C、G~K之间加反向电压
D、减小触发极电流
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