A.（β，n）型中子源
B.（α，n）型中子源
C.（γ，n）型中子源
D.自发裂变中子源

A.热中子
B.冷中子
C.甚冷中子
D.超冷中子

A.轫致辐射计数集中在低能区
B.轫致辐射的来源其实是β射线
C.轫致辐射可以被理想屏蔽所去除
D.当β射线强度大，能量高，而γ射线强度低时，轫致辐射影响更显著

A.超出了最大能量，是系统弄错了，应该把这些计数去掉
B.可能同时发生了两个能量完全沉积的事件，系统把这两个10keV的计数合成为了一个20keV的计数
C.这个峰大部分计数的来源应该是环境的射线影响
D.降低γ射线强度，这个峰的计数应该会升高

A.反符合技术可以用于甄别康普顿事件
B.反散射峰与特征X射线峰来自于环境
C.全能峰就是光电峰
D.单逃逸峰的能量大于双逃逸峰

A.符合测量对真偶符合比没有要求
B.为保证高的真偶符合比，电子学分辨时间小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他条件不变，源的活度越大则真偶符合比越大

A.偶然符合在低计数率情况下更常见
B.偶然符合的事件同时发生且相关
C.偶然的情况下同时到达符合电路的非关联事件引起的符合
D.不相关的事件都可以认为属于偶然符合

A.符合曲线是指延迟关系变化时，符合计数率的变化曲线
B.信号的时间离散对符合曲线有影响
C.理想的电子学瞬时符合曲线是矩形的
D.符合分快符合与慢符合，快符合的符合曲线宽度主要由电子学分辨时间决定

A.延迟符合改变了相关事件发生的物理过程
B.延迟符合的顺利实现需要对相关事件的物理过程有深入了解
C.延迟符合功能可以通过电子学系统实现的
D.相关事件不同时时，一般可以考虑利用延迟符合技术

A.反符合电路利用“或”门来实现
B.反符合中的两个事件必须是完全无关的
C.反符合的功能可以利用多个探测器实现
D.反符合与符合在电路设计、探测器信号连接上都完全不同