单项选择题电洞是（）
A.电子离开价电带所留下的空位
B.传导带的空位
C.正电子
D.传导带的电子
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1.单项选择题
图中，若LED电压为2V，内阻为300Ω，则流过LED的电流为（）
A.5.2mA
B.6.2mA
C.7.2mA
D.8.2mA
2.单项选择题在绝对温度零度（0°K）时，本质半导体内所有价电子（）
A.均为自由电子
B.都在导带内
C.都在禁带内
D.都在价带内
3.单项选择题有一崩溃电压为10V的稽纳二极管，若50mA的稽纳电流变化，对应有0.1V的稽纳电压改变，则稽纳电阻为何？（）
A.1Ω
B.2Ω
C.10Ω
D.20Ω
4.单项选择题P型半导体与N型半导体结合时，在PN接合面上形成空乏区，在空乏区靠P型侧有（）
A.电子
B.电洞
C.正离子
D.负离子
5.单项选择题障壁电压乃是在PN接面区域内有（）
A.自由电子
B.电洞
C.正、负离子
D.自由电子与电洞
6.单项选择题LED所发出之光为（）
A.单色光
B.多色光
C.单色聚合光
D.以上皆非
7.单项选择题
萧特基二极管的符号为（）
A.（1）
B.（2）
C.（3）
D.（4）
8.单项选择题在一硅质二极管的两端外加一顺向偏压1V，并测得顺向电流为10mA，则二极管的分布电阻为（）
A.10Ω
B.30Ω
C.70Ω
D.100Ω
9.单项选择题N型半导体于锗或硅中加入之杂质为（）
A.三价
B.四价
C.五价
D.以上各价均可能
10.单项选择题二极管的动态电阻rd为（）
A.nVT/Is
B.VD/ID
C.VT/1mA
D.nVT/ID
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下列哪项不是传感器的主要特点？（）
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