单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）

单项选择题单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）

A.表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极

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1.单项选择题以下有关晶硅太阳能电池的温度和光照特性说法错误的是（）

A.随着温度的升高，短路电流密度升高，开路电压下降，但光电转换效率下降。
B.温度对开路电压的影响明显大于对短路电流的影响。
C.光照强度对短路电流的影响明显大于对开路电压的影响。
D.与晶硅太阳能电池相比，GaAs太阳能电池的禁带宽度较大，所以晶硅太阳能电池具有更好的温度特性。

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2.单项选择题关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）

A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

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3.单项选择题面积为10cm²的硅太阳能电池在100mw/cm²光照下，开路电压为600mV，短路电流为400mA，填充因子为0.8，则此硅太阳能电池的最大光电转换效率为（）

A.19.2℅
B.17.6℅
C.15.6℅
D.20.3℅

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4.单项选择题考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）

A.15μs
B.225μs
C.1.5μs
D.20μs

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5.单项选择题在大同地区（北纬40.1°，东京113.3°）建一太阳能光伏电站，若所用太阳能电池板方阵高度为2m，方阵最佳倾斜角为45°，则两排方阵之间的最小距离为（）

A.5.673m
B.4.259m
C.1.414m
D.3.011m

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6.单项选择题下面哪个不是国际上统一规定的地面太阳能电池的标准测试条件（）

A.光源辐照度为1000W/m
B.测试温度为25℃
C.AM1.0地面太阳光谱辐照度分布
D.AM1.5地面太阳光谱辐照度分布