问答题

【简答题】为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

答案：晶体管开通后，其漏源电流随着漏源电压而变化。当漏源电压很小时，随着漏源电压的值的增大，沟道内电场强度增加，电流随之增大，...

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【简答题】什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？

答案： MOS晶体管存在速度饱和效应。器件工作时，当漏源电压增大时，实际的反型层沟道长度逐渐减小，即沟道长度是漏源电压的函数，这...

【简答题】请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

答案：对于PMOS晶体管，通常情况下衬底和源极都接最高电位，衬底偏压V_BS=0，此时不存在衬偏效应。而当...