在霍尔式传感器中，霍尔电势反比于磁场强度。

判断题在霍尔式传感器中，霍尔电势反比于磁场强度。

1.判断题金属导体置于变化的磁场中，导体内就会有感应电流产生，这种电流在金属体内自行闭合，通常称为电涡流。

2.多项选择题变气隙厚度式自感式传感器的铁芯和衔铁由下列哪些材料制成（）

A.铝
B.二氧化硅
C.硅钢片
D.坡莫合金

3.多项选择题以下属于磁敏元件的是（）

A.霍尔元件
B.磁阻元件
C.石英
D.巨磁阻

4.多项选择题以下属于常用光敏电阻的材料的是（）

A.硅
B.锗
C.硫化镉
D.硫化铟

5.多项选择题霍尔元件多采用N型半导体材料，常用材质为（）

A.硅
B.锗
C.硫化铅
D.硒化镉

6.多项选择题以下属于常用压磁元件材料的是（）

A.硅钢片
B.锗
C.坡莫合金
D.铁氧体

7.单项选择题下述何种传感器的主要缺点是响应较慢，不宜于快速动态测量（）

A.电容式传感器
B.电感式传感器
C.电阻式传感器
D.压电传感器

8.单项选择题AMR在外磁场与电流方向之间成（）夹角时，具有最高的灵敏度且线性度最佳。

A.0°
B.30°
C.45°
D.90°

9.单项选择题磁阻率反映出通过磁阻传感器可获得的最大信号强度。一般各向异性磁阻传感器（AMR）的磁阻率为（）

A.1-2%
B.5-6%
C.10-20%
D.20-50%

10.单项选择题温度上升，光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管的暗电流（）

A.上升
B.下降
C.不变