本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体

判断题本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体

1.判断题基于光生伏特效应的光电器件有光电二极管、光电三极管和光电池。

2.判断题幅频特性优良的传感器，其动态范围大，故可以用于高精度测量。

3.判断题在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，入射光强改变物质导电率的物理现象称为内光电效应。

4.判断题无论何种传感器，若要提高灵敏度，必然会增加非线性误差。

5.判断题一个复杂的高阶系统总是可以看成是由若干个零阶、一阶和二阶系统并联而成的。

6.判断题光在半导体材料传播是不会产生衰减。

7.判断题内光电效应分为两类，光电导效应和光生伏特效应。

8.问答题己知某位移传感器，当输入量△X=10μm，其输出电压变化量△U=50mV。求其平均灵敏度K1为多少？若采用两个相同的上述传感器组成差动测量系统则该差动式位移传感器的平均灵敏度K₂为多少？

9.问答题简算题：若一阶传感器的时间τ=0.01s，传感器响应幅值差在10%范围内，此时ωτ最高值为0.5，试求此时输入信号的工作频率范围？

10.问答题计算题：检验一台量程为0~250mmH₂O的差压变送器，当差压由0上升至100mmH₂O时，差压变送器读数为98mmH₂O；当差压由250mmH₂O下降至100mmH₂O时差压变送器读数为103mmH₂O，问此仪表在该点迟滞（变差）是多少？