我们的组件要保证使用（），功率衰减不超过20％。

单项选择题我们的组件要保证使用（），功率衰减不超过20％。

A、1年
B、2年
C、5年
D、25年

1.单项选择题焊带的外层所涂的发亮的金属中主要成分是（）

A、铁
B、焊锡
C、铝
D、银

2.单项选择题现生产线，单、串焊接所用的电烙铁为（）

A.90W.150W
B.60W.80W
C.50W.100W
D.30W.90W

3.填空题为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

4.填空题GaAs或InP太阳能电池由于（）且有（），作为空间太阳能电池已被实用化。

5.填空题太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素（）；（）和V族磷、砷元素组成的半导体，如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。

6.填空题几乎所有的III-v族化合物半导体都是（）能带结构，具有（），光吸收系数很大，对薄膜太阳能电池是有用的。

7.填空题化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）；（）、数载流子移动度i以及扩散长度L，特别是在太阳能电池中，复合效果也是重要的参数。

8.填空题GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。

9.填空题太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。

10.填空题在同质结结构中，为了得到20%以上的高效率，必须让结合深度在（）以下的浅层处，因此在异质表面结构中，通入插入宽禁带宽度的窗层，增加结合深度高定的自由度，就可以实现高效率。