解释半导体探测器的能量线性。

问答题解释半导体探测器的能量线性。

1.问答题影响金硅面垒探测器能量分辨力的主要因素有哪些？

（1）空穴-电子对数的统计涨落
（2）散射效应
（3）探测器的噪声
（4）空气和窗吸收的影响

2.问答题电离室能成为一个探测器应满足哪几个条件？

3.问答题半导体探测器有哪些优、缺点？

4.问答题列举几种半导体探测器。

P-N结型探测器、锂漂移型探测器、高纯锗探测器、化合物半导体探测器以及其它类型半导体探测器。

5.问答题半导体探测器与气体电离室有何主要区别？

探测介质不同

6.问答题使用G-M计数管有哪些注意事项？

7.问答题G-M计数器探测射线具有哪些优、缺点？

8.问答题正比计数器可根据不同的探测对象充气，如探测热中子、探测快中子、探测X射线分别充什么气体？

如探测热中子时充BF3气体，探测快中子时充H2、CH4和3He气体，探测X射线时充Kr或Xe气等

9.问答题与电离室相比，正比计数器有哪些优点？

（1）输出的脉冲幅度较大。
（2）灵敏度较高。
（3）脉冲幅度几乎与原电离的地点无关。

10.名词解释气体放大现象

气体放大现象，即被加速的原电离电子在电离碰撞中，逐次倍增而形成电子雪崩。