A、结型场效应晶体管，简称JFET
B、绝缘栅型场效应晶体管，简称JFET
C、结型场效应晶体管JGFET
D、绝缘栅型场效应晶体管JGFET
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你可能感兴趣的试题
A.噪声低、输入阻抗低
B.热稳定性好、输入阻抗低
C.噪声低、输入阻抗高
D.噪声低、热稳定性差
A、P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
B、增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
A、P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
B、P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管
C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
A、只能通高频信号
B、零点漂移
C、只能通直流信号
D、只能通交流信号
A、直流信号和交流信号
B、直流信号
C、直流信号和变化缓慢的交流信号
D、交流信号
A、直流信号和交流信号
B、直流信号
C、直流信号和变化缓慢的交流信号
D、交流信号
A、α=1+β/1-β
B、α=β/1+β
C、α=1-β/1+β
D、α=1+β/β
A、0.7V；0.3V
B、0.2V；0.3V
C、0.3V；0.7V
D、0.7V；0.6V
A、P型，锗材料
B、N型，锗材料
C、N型，硅材料
D、P型，硅材料
A、低频小功率管
B、高频大功率管
C、高频小功率管
D、低频大功率管
最新试题
关于正弦波振荡电路，下列表述不合适的是（）。
关于电路模型，下列说法错误的一项是（）。
下列关于电感储能的描述中错误的是（）。
关于基尔霍夫电流定律（KCL），下列描述错误的一项是（）。
在RLC的并联谐振电路中，（）最大，（）最小。
电路如图所示，运算放大器的饱和电压为±12V，双向稳压管的稳定电压为±6V，设正向压降为零，当输入电压Vi=2sinωtV时，输出电压VO应为（）。
关于电阻元件，下列描述正确的一项是（）。
流过电容的电流与（）成正比。
与单门限比较器相比，以下对迟滞比较器的描述不合理的是（）。
电路如图所示，则（）。