单项选择题半导体结中并不存在()。
A.PN结
B.PIN结
C.肖特基结
D.光电结
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1.单项选择题像管中()的出现和使用,成为了第一代像管出现的标志性部件。
A.负电子亲和势阴极
B.电子光学系统
C.微通道板MCP
D.光纤面板
2.单项选择题在光电倍增管中,产生光电效应的是()。
A.阴极
B.阳极
C.倍增极
D.玻璃窗
3.单项选择题光的发射,属于受激发射的器件是()。
A.LD
B.LED
C.CCD
D.PMT
4.单项选择题硅光电二极管与硅光电池比较,前者()。
A.掺杂浓度低
B.电阻率低
C.零偏工作
D.光敏面积大
5.单项选择题波长为1mm的波属于()。
A.远红外线
B.太赫兹波
C.可见光
D.X射线
6.单项选择题波长为10μm的光线属()。
A.近红外线
B.中红外线
C.远红外线
D.极远红外线
7.单项选择题为了实现均匀倍增,雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求()。
A.浓度均匀
B.浓度大
C.浓度小
D.浓度适中
8.单项选择题热效应较大的光是()。
A.紫光
B.红光
C.红外
D.紫外
9.单项选择题半导体中施主能级的位置位于()中。
A.禁带
B.价带
C.导带
D.满带
10.单项选择题任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都等于1,称为()。
A.黑体
B.灰体
C.黑洞
D.绝对黑体
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