最新试题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
题型:问答题
比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路,试分析两者存在差异的原因。
题型:问答题
说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。
题型:问答题
集成电路电阻可以通过()产生。
题型:多项选择题
编写DRC版图验证文件的主要依据是什么?
题型:问答题
由硅片生产的半导体产品,又被称为()。
题型:多项选择题
由于衬底材料的缘故会自动产生电容,这种电容称为()。
题型:单项选择题
为提高CMOS集成电路的抗自锁能力,可在版图设计上采取哪些措施?
题型:问答题
硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的()材料等。
题型:多项选择题
从设计的观点出发,版图设计规则应包括哪些部分?
题型:问答题