A、单块
B、双块
C、半块
D、整体
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A、混凝土和砂浆配合比通知单
B、混凝土和砂浆试件抗压强度试验报告单
C、各检验批的主控项目、一般项目的验收记录
D、施工记录
E、施工图纸
A、360mm
B、370mm
C、480mm
D、490mm
A、每级荷载可取预估破坏荷载的10%
B、应在1min~1.5mim内均匀加完,然后恒载2min
C、加荷至预估破坏荷载的90%后,应按原定加荷速度连续加荷,直至槽间砌体破坏
D、加荷至预估破坏荷载的80%后,应按原定加荷速度连续加荷,直至槽间砌体破坏
A、一个
B、二个
C、若干个
D、三个
E、以上都不对
A、料石检查产品质量证明书
B、石材试验报告
C、砂浆试块试验报告
D、产品使用说明书
A.10万
B.8万
C.6万
D.3万
A.7d
B.14d
C.28d
D.36d
A.±20mm
B.±15mm
C.±10mm
D.±5mm
A.3处
B.5处
C.6处
D.10处
A.200mm
B.250mm
C.300mm
D.350mm
最新试题
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
下列哪个不是单晶常用的晶向()
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
PN结的基本特性是()
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()