已知某半导体存储芯片的地址线为12根，则此存储器的存储容量为（）。

单项选择题已知某半导体存储芯片的地址线为12根，则此存储器的存储容量为（）。

A.512KB
B.1024KB
C.2048KB
D.4096KB

1.单项选择题长度均为几十米的两平行导线与双绞线相比，其通频带宽度及数据传输速率为（）

A、二者相差无几，通带均较宽，速率均较高
B、二者相差无几，通带均较窄，速率均较低
C、前者通带宽、速率高
D、前者通带窄、速率低

2.单项选择题汇编语言与硬件电路及CPU间的关系是（）

A、不是面向硬件电路的计算机语言，与CPU有关。
B、不是面向硬件电路的计算机语言，与CPU无关。
C、是面向硬件电路的计算机语言，与CPU有关。
D、是面向硬件电路的计算机语言，与CPU无关。

3.单项选择题要产生频率为赫兹量级至几兆赫兹量级、频率连续变化的正弦波信号，应选用（）

A、RC振荡器
B、LC三点式振荡器
C、石英晶体振荡器
D、锁相环式振荡器

4.单项选择题用异或门可对两同频率方波进行相位比较（相位检测），可判断出两输入信号间相位差的最大值可达（）

A、45°
B、90°
C、135°
D、180°

5.单项选择题为了提高放大器输出电压的稳定性，并降低此放大器对前级电路的影响，应采用的反馈方式是（）

A、电压串联负反馈
B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈
D、电流并联负反馈

6.单项选择题与非、或非门的封门端电平（输出端状态仅由此端决定，与其它输入端状态无关）为（）

A、均为低电平0
B、均为高电平1
C、与非门为1，或非门为0
D、与非门为0，或非门为1

7.单项选择题在共e、共b、共c三种放大电路中，输入阻抗最高的放大器是（）

A、共e放大器
B、共b放大器
C、共e、共b放大器
D、共c放大器

8.单项选择题一方波经过放大器后，其前沿的上升时间变大，其主要原因可能为（）

A、放大器的上限截止频率f_H低
B、放大器的上限截止频率f_H高
C、放大器的下限截止频率f_L低
D、放大器的下限截止频率f_L高

9.单项选择题晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是（）

A、β=β₀时的工作频率
B、β=0.707β₀时的工作频率
C、β=2β₀时的工作频率
D、β=1时的工作频率

10.单项选择题标注为4n7的电容器，其电容值为（）

A、47pF
B、470pF
C、4700pF
D、4.7pF