P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。