单项选择题间接DR中，位于FPD顶层的是（）
A.非晶硒
B.碘化铯
C.钨酸钙
D.非晶硅
E.CCD
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1.单项选择题FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是（）
A.薄膜晶体管技术
B.光敏照相机技术
C.光电倍增管技术
D.光激励发光技术
E.非晶硒技术
2.单项选择题从X线到影像按"潜影→可见光→数字影像"这一程序转换的是（）
A.Ⅱ+TV摄像机
B.成像板
C.闪烁体+CCD摄像机阵列
D.直接转换平板探测器
E.间接转换平板探测器
3.单项选择题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）
A.硒鼓检测器
B.IP成像转换器
C.直接转换平板探测器
D.间接转换平板探测器
E.多丝正比室检测器
4.单项选择题CR与DR系统应用比较，相同点是（）
A.成像方式
B.操作方式
C.床旁摄影
D.可应用于常规摄影
E.与常规X线设备匹配
5.单项选择题屏／片系统成像与数字平板X线摄影的共同之处是（）
A.图像存储
B.成像能源
C.转换介质
D.成像方式
E.传输方式
6.单项选择题关于平板探测器的叙述，错误的是（）
A.有直接转换型和间接转换型
B.其极限分辨率比屏／片系统低
C.其MTF比屏／片系统低
D.其DQE比屏／片系统高
E.DQE比CR系统高
7.单项选择题关于CR的工作原理，正确的是（）
A.IP由基层、荧光体层和保护层构成
B.IP由基层、晶体层构成
C.IP用于检测图像数据
D.IP用于存储图像数据
E.IP用于传输图像数据
8.单项选择题KonicaCR系统照射量1mR时对应的S值为200，2mR对应的S值是（）
A.400
B.200
C.100
D.50
E.10
9.单项选择题多丝正比电离室探测器是（）
A.直接探测器
B.间接探测器
C.模拟探测器
D.平板探测器
E.动态探测器
10.单项选择题DR相比于CR（）
A.成像时间短
B.X线利用效率高
C.图像质量好
D.系统成本高
E.以上都是
