X线照射到直接FPD上时，X线光子使非晶硒激发出（）

单项选择题X线照射到直接FPD上时，X线光子使非晶硒激发出（）

A.可见光
B.电子空穴对
C.荧光
D.正电子
E.低能X射线

1.单项选择题直接FPD中将射线转化为电信号的是（）

A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激励荧光体
D.光电倍增管
E.CCD

2.单项选择题下列器件哪个不能将光信号转化为电信号（）

A.CCD相机
B.非晶硅
C.非晶硒
D.光电二极管
E.闪烁体

3.单项选择题FPD的中文全称为（）

A.影像板
B.平板探测器
C.光敏照相机
D.平面回波序列
E.直接数字X线摄影

4.单项选择题一般将IP上产生（）的照射量作为基础的目标照射量

A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR

5.单项选择题CR的第三象限英文简称（）

A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP

6.单项选择题CR四象限理论中，第四象限对应的曲线为（）

A.照片特性曲线
B.增感屏特性曲线
C.IP特性曲线
D.光激励荧光物的特性曲线
E.FPD特性曲线

7.单项选择题CR中IP的线性范围是（）

A.1：10²
B.1：10³
C.1：10⁴
D.1：10⁵
E.1：10⁶

8.单项选择题CR中EDR的中文全称是（）

A.影像记录装置
B.曝光数据识别器
C.薄膜晶体管阵列
D.光电倍增管
E.曝光指示器

9.单项选择题CR中光激励发光的波长为（）

A.100～200nm
B.390～490nm
C.290～390nm
D.200～300nm
E.190～290nm

10.单项选择题要想将使用过的IP再次使用，必须（）

A.使用高能射线照射
B.使用电流消除残存电荷
C.使用显影液、定影液重写
D.使用清水冲洗
E.使用强光照射消除数据