A.R=5kΩ,PN=1W
B.R=5kΩ,PN=2W
C.R=10kΩ,PN=2W
D.R=10kΩ,PN=1W
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已知图示电路中US=2V,IS=2A。电阻R1和R2消耗的功率由何处供给?()
A.电压源
B.电流源
C.电压源和电流源
D.不一定
电路如图所示,US为独立电压源,若外电路不变,仅电阻R变化时,将会引起下述哪种变化?()
A.端电压U的变化
B.输出电流I的变化
C.电阻R支路电流的变化
D.上述三者同时变化
(2005)如图所示电路,U=12V,UE=10V、R=0.4kΩ,则电流I等于:()
A.0.055A
B.0.03A
C.0.025A
D.0.005A
(2007)RLC串联电路如图所示,其中,R=1kΩ,L=1mH,C=1μF。如果用一个100V的直流电压加在该电路的A-B端口,则电路电流I为:()
A.0A
B.0.1A
C.-0.1A
D.100A
(2009)图示电路中,uc=10V,i=1mA,则:()
A.因为i2=0,使电流i1=1mA
B.因为参数C未知,无法求出电流i
C.虽然电流i2未知,但是i>i1成立
D.电容存储的能量为0
(2010)图示电路中,电流源的端电压U等于:()
A.20V
B.10V
C.5V
D.0V
A.0.05V
B.0.15V
C.0.2V
D.0
如图所示,导体回路处在一均匀磁场中,B=0.5T,R=2Ω,ab边长L=0.5m,可以滑动,a=60°,现以速度υ=4m/s将ab边向右匀速平行移动,通过R的感应电流为:()
A.0.5A
B.-1A
C.-0.86A
D.0.43A
应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场计算,计算结果应为:()
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同
B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度
C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度
D.在其内部,即r
A.3q1
B.2q1
C.q1
D.0
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