①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤; ②使注入离子扩散至适当的深度; ③使注入离子移动到适当的晶格位置。
①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域; ②作为Contact Etch时栅极的保护层。