填空题

氧化时（）称为分凝效应。B在氧化硅中的含量高于Si衬底中的含量，分凝系数（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si衬底中含量，分凝系数（）1。

答案：硅中的杂质浓度与SiO₂中浓度出现差别的现象；小于；大于

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Si衬底上热氧化的机理由（）模型确定。氧化反应的快慢与三个因素有关，即：（）。氧化层厚度的理论计算公式为：式中A、B为与扩散率成正比的常数，τ为由（）决定的时间修正系数。

答案：迪尔－格罗夫；温度、氧化剂浓度和表面电势；初始厚度

由于O₂在SiO₂中的扩散率远（）于Si 在SiO₂中的扩散率，所以氧化反应是由O₂穿过SiO₂层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO₂中，H₂O比O₂有更（）的扩散率和溶解度。由于N₂和Si在Si₃N₄中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si₃N₄。通常在Si衬底上用（）法沉积Si₃N₄薄膜。

答案：高；Si-SiO₂；高；高；低；PECVD