问答题试求本征硅在室温(300K)时的电导率σi。设电子迁移率μn和空穴迁移率μp分别为1350cm2/Vs和500cm2/Vs,本征载流子浓度ni=1.5*1010/cm3。当掺入百万分之一的砷(As)后,电子迁移率降低为850cm2/Vs,设杂质全部电离,忽略少子的贡献,计算其电导率σ,并与本征电导率σi作比较。(硅的原子密度为5*1022/cm3
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