A.不考虑器件电容的影响，视它们为开路
B.不考虑耦合电容和旁路电容的影响，视它们为短路
C.不考虑耦合电容和旁路电容的影响，视它们为开路
D.不考虑器件电容的影响，视它们为短路

A.共集放大器
B.共射放大器
C.带射极电阻的共射放大器
D.共基放大器

A.放大器件的器件电容
B.放大器中的耦合电容和器件电容
C.放大器中的耦合电容和旁路电容
D.放大器中的耦合电容

A.差模电压增益更高
B.共模电压增益更小
C.差模输入电阻更小
D.共模抑制比更高

A.改变BJT电流源参考支路中电阻的大小
B.改变电流源直流供电电源的大小
C.改变MOS电流源中两个MOS管的沟道宽长比大小
D.改变BJT电流源中两个BJT管的发射结面积大小

A.该组态放大器输入电阻较高
B.输出电阻较低
C.电压增益小于1接近于1
D.该电路为共集电极放大器（射极跟随器）

A.输出电阻极低
B.电压跟随器，适合作放大器的缓冲级
C.电流增益高，适合作电流放大器
D.输入输出电阻性能符合电压放大器特征，适合作电压放大

A.不同结构类型的BJT器件小信号模型是不一样的
B.电路工作点确定后，小信号模型的参数也就确定了
C.小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式
D.BJT器件型号确定后，小信号模型的参数也就确定了

A.CE
B.CB
C.共基
D.CC

A.α（1+α）
B.α
C.β（1-β）
D.β