单项选择题高频离心铸造机的基本加热原理是（）。
A.涡流
B.集肤效应
C.切割磁力线
D.电流感应
E.电磁感应
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A.涡流
B.集肤效应
C.切割磁力线
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E.电磁感应
2.单项选择题使瓷体熔化时不受氧化、不产生气泡、排出炉内异常气体的装置是（）。
A.炉膛
B.真空装置
C.产热及调温装置
D.显示窗
E.键盘
3.单项选择题使炉内升温和保持恒温的装置是（）。
A.炉膛
B.真空装置
C.产热及调温装置
D.显示窗
E.键盘
4.单项选择题真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括（）。
A.预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间
B.预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
C.现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
D.现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
E.现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
5.单项选择题真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（）。
A.31～40℃
B.21～30℃
C.10℃以内
D.11～20℃
E.5℃
6.单项选择题真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是（）。
A.烤瓷失败
B.烤瓷失败，烤瓷件报废
C.烤瓷件与炉膛内壁发生粘连
D.炉膛报废
E.发热体损坏
7.单项选择题高频离心铸造机操作时应注意。接通电源，开机预热时间为（）。
A.1～2min
B.3～4min
C.5～10min
D.11～15min
E.16～20min
8.单项选择题高频离心铸造机操作时应注意。使用设备的相对湿度应小于（）。
A.25％
B.30％
C.50％
D.60％
E.75％
9.单项选择题高频离心铸造机操作时应注意使用设备的环境温度为（）。
A.0～2℃
B.3～4℃
C.36～40℃
D.5～35℃
E.40℃以上
10.单项选择题超声波清洗机操作使用中应注意。连续清洗一般不应超过（）。
A.10min
B.8min
C.6min
D.5min
E.2min
