某电容位移传感器，当被测位移变化量∆X=40，相应输出电容变化量...

单项选择题某电容位移传感器，当被测位移变化量∆X=40，相应输出电容变化量∆C=20pF，其平均灵敏度为（）。

A.2PF/μm
B.2μm/PF
C.0.5PF/μm
D.0.5μm/PF

1.单项选择题下列制作霍尔片材料的是（）。

A.氧化锆
B.N型锗
C.锑化铟
D.砷化铟

2.单项选择题热敏电阻的用途主要分成两类，一类是作为检测元件，另一类是作为（）。

A.电路元件
B.转换元件
C.弹性元件
D.感知元件

3.单项选择题热电偶是基于热电效应原理制成的（）。

A.压力传感器
B.温度传感器
C.速度传感器
D.流量传感器

4.单项选择题压电传感器可以等效地看做一个电压源与一个电容器的（）。

A.串联电路
B.并联电路
C.级联电路
D.混联电路

5.单项选择题压电式传感器目前多用于测量（）。

A.静态的力或压力
B.温度
C.动态的力或压力
D.密度

6.单项选择题石英晶体和压电陶瓷的压电系数相比较的关系是（）。

A.低
B.高
C.相等
D.不确定

7.单项选择题直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同，圆弧部分使灵敏度K下降了，这种现象称为（）。

A.压电效应
B.应变效应
C.横向效应
D.压阻效应

8.单项选择题通常用应变式传感器测量（）。

A.温度
B.压力
C.密度
D.流量