解释电力电子装置产生过电压的原因。_考试资料网

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问答题解释电力电子装置产生过电压的原因。

参考答案： 电力电子装置可能的过电压原因分为外因和内因。外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因，如由分闸、合闸等开关操作...

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1.问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

参考答案：最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR；开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFE...

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2.问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。

参考答案：GTR有二次击穿现象，而PowerMOSFET没有二次击穿现象的根本原因是这两种器件的工作载流子性质不同。GTR这类双极...

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3.问答题试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

参考答案：晶闸管门极注入触发电流后，晶闸管开始只在靠近门极附近的小区域内导通，随着时间的推移，导通区才逐渐扩大到PN结的全部面积。...

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4.问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

参考答案：Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。

5.问答题Power MOSFET和GTR哪个易于并联，为什么？

参考答案：Power MOSFET更易于并联，其导通沟道电阻为正温度系数。

6.问答题为什么GTO的内部结构与普通晶闸管相似，但却可以通过施加门极负电流使其关断？

参考答案：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一...

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7.问答题 晶闸管串入图所示的电路，试分析开关闭合和关断时电压表的读数。

参考答案：在晶闸管有触发脉冲的情况下，S开关闭合，电压表读数接近输入直流电压；当S开关断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管有触发...

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8.问答题试分析可能出现的晶闸管的非正常导通方式有哪几种。

参考答案：阳极电压达到正向转折电压U_bo；阳极电压上升率du/dt过高；结温过高。

9.问答题 若流过晶闸管的电流波形如图所示，电流峰值为I_m，试求该电流的波形系数，并选择晶闸管（不考虑电压、电流裕量）。

参考答案：

10.问答题维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？

参考答案：晶闸管流过的电流大于维持电流；通过外部电路使晶闸管流过的电流低于维持电流。