A.扫场下的高场和扫频下的高频,较小的化学位移值(δ)
B.扫场下的高场和扫频下的低频,较小的化学位移值(δ)
C.扫场下的低场和扫频下的高频,较大的化学位移值(δ)
D.扫场下的低场和扫频下的低频,较大的化学位移值(δ)
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A.吸收电磁辐射的频率区域不同
B.检测信号的方式不同
C.记录谱图的方式不同
D.样品必须在强磁场中测定
A.N7
B.Si14
C.P15
D.S16
A.不同质子种类数
B.同类质子个数
C.化合物中双键的个数与位置
D.相邻碳原子上质子的个数
A.(CH3)2CHCOCH3
B.(CH3)3C-CHO
C.CH3CH2CH2COCH3
D.CH3CH2COCH2CH3
A.质荷比
B.波数
C.化学位移
D.保留值
A.CH3CH2Cl
B.CH3CH2OH
C.CH3CH3
D.CH3CH(CH3)2
A.3(1H)
B.6(1H)
C.3(3H)
D.6(3H)
A.极谱法
B.色谱法
C.红外光谱法
D.核磁共振波谱法
A.CH3Br
B.CH4
C.CH3I
D.CH3F
A.没有弛豫,就不会产生核磁共振
B.谱线宽度与弛豫时间成反比
C.通过弛豫,维持高能态核的微弱多数
D.弛豫分为纵向弛豫和横向弛豫两种
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