在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向...

单项选择题在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。

A.电子
B.空穴
C.质子
D.原子

1.单项选择题太阳能光伏电池的开路电压与光强的关系是（）。

A.线性关系
B.对数关系
C.指数关系
D.复杂函数

2.单项选择题非晶太阳能电池内部进行光电转换的层是在（）层。

A.P
B.I
C.N
D.P表面

3.单项选择题下列属于光伏控制器应具有以下基本功能的是（）。

A.控制温度
B.控制湿度
C.提高充电效率
D.防止蓄电池过放

4.单项选择题评价太阳能电池优劣的内部参数是（）。

A.多数载流子
B.少数载流子
C.填充因子
D.电子空穴对

5.单项选择题层压完成的组件不要马上移动的主要原因是（）。

A.组件温度高，烫手
B.没合适地方放置
C.EVA还没有定型，容易导致电池片的破碎
D.要等焊接完输出接线柱

6.单项选择题以下不属于太阳能特点的是（）。

A.广泛性
B.清洁性
C.分散性
D.可重复利用性

7.单项选择题目前大都数单晶和多晶太阳能电池设计使用的年限是（）年。

A.10
B.20
C.25
D.30

8.单项选择题用于太阳能电池半导体的材料三种形式中晶粒之间存在边界的是（）。

A.多晶体
B.单晶体
C.非晶体
D.以上都是

9.单项选择题在硅片的抛光过程中，下列因素中不是影响粗抛的主要因素是（）。

A.粗抛液的浓度
B.粗抛时间
C.溶液的密度
D.溶液的温度

10.单项选择题常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。

A.1.12
B.2.14
C.1.42
D.0.92