A.伦琴
B.居里
C.毫克镭当量
D.贝克勒尔
E.希伏特

A.1MeV／cm
B.2MeV／cm
C.3MeV／cm
D.4MeV／cm
E.5MeV／cm

A.2.33Rs
B.2.33R₅₀MeV
C.2.33R₈₀MeV
D.2.059RsMeV
E.2.059R₅₀MeV

A.电子线的射程比α粒子小
B.电子线的射程与α粒子相同
C.电子线的射程大于其实际路径
D.电子线的射程与其最大能量没有关系
E.电子线的最大射程与其最大能量有一定关系

A.TAR₂₀/TAR₁₀或PDD₁₀/PDD₂₀
B.TPR₂₀/TPR₁₀或PDD₁₀/PDD₂₀
C.TPR₁₀/TPR₂₀或PDD₂₀/PDD₁₀
D.TPR₂₀/TPR₁₀或PDD₂₀/PDD₁₀
E.TPR₂₀/TMR₁₀或PDD₁₀/PDD₂₀

A.管电压
B.半价层（HVL）
C.半价层（HVL）和管电压
D.空气中的照射剂量
E.5cm水深处的吸收剂量

A.质量吸收系数与吸收物质密度成正比
B.质量吸收系数与吸收物质密度成反比
C.质量吸收系数与吸收物质的温度成正比
D.质量吸收系数与吸收物质的温度成反比
E.质量吸收系数与吸收物质密度及物理状态无关

A.平方反比规律
B.指数规律
C.算术级数
D.几何级数
E.高斯级数

A.10～30KeV光电效应占优势，30KeV～25MeV康普顿效应占优势，25～100MeV电子对效应占优势
B.10～30KeV康普顿效应占优势，30KeV～25MeV光电效应占优势，25～100MeV电子对效应占优势
C.10～30KeV电子对效应占优势，30KeV～25MeV康普顿效应占优势，25～100MeV光电效应占优势
D.10～30KeV光电效应占优势，30KeV～25MeV电子对效应占优势，25～100MeV康普顿效应占优势
E.10～30KeV康普顿效应占优势，30KeV～25MeV电子对效应占优势，25～100MeV光电效应占优势

A.对低能γ线和原子序数高的物质，康普顿效应为主
B.对中能γ线和原子序数低的物质，光电效应为主
C.对低能γ线和原子序数高的物质，电子对效应为主
D.对低能γ线和原子序数高的物质，光电效应为主
E.对高能γ线和原子序数高的物质，康普顿效应为主