下图所示电路中，已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V，β...

问答题 下图所示电路中，已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V，β=100，临界放大饱和时三极管压降（集电极-发射极之间）为0.3V。判断电路中各晶体管的工作状态。

1.问答题说明利用三极管组成放大电路的基本原则。

2.填空题 为了简化分析过程，分析下图电路的低频特性时，可以忽略（）电容的影响。分析中频特性时，忽略（）电容的影响。分析高频特性时，忽略（）电容的影响。

3.单项选择题 某放大电路无耦合电容。利用单一频率的余弦信号进行测试，测试结果是：低频增益为AU，提高输入信号频率，频率f₁时信号增益为AU，频率f₂时输入信号增益为1/2AU，频率f₃时信号增益为0.1AU。电路的通频带宽为（）。

A.f₁
B.f₂
C.f₃

4.单项选择题某三极管的带宽增益积为1MHz。如果输入信号为单一频率的余弦波，电路能够进行信号放大的最高频率为（）。

A.1MHz
B.2MHz
C.500kHz
D.700kHz

5.单项选择题三极管的特征频率f_T点对应的β为（）。

A.β=1
B.β=
C.β=0.5
D.β=3

6.填空题放大电路在低频信号作用下电压放大倍数下降的原因是存在（）电容和（）电容；而在高频信号作用下的电压放大倍数下降的主要原因是存在（）电容。

7.填空题在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是（）组态；输入电阻最大的是（）组态，最小的是（）；输出电阻最大的是（）组态，最小的是（）。

8.填空题可以放大电压又能放大电流的是（）组态放大电路；可以放大电压又不能放大电流的是（）组态放大电路；可以放大电流又不能放大电压的是（）组态放大电路；能够进行功率放大的是（）组态放大电路。

9.填空题在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入u_i和输出u_o的波形。当为CE电路时，u_i和u_o的相位（）；当CC电路时，u_i和u_o的相位（）；当CB电路时，u_i和u_o的相位（）。

10.单项选择题为了使一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路的后面接入（）。

A.共射电路
B.共集电路
C.共基电路
D.任何一种组态的电路