单项选择题

集成电路制造工艺中，不能制备二氧化硅薄膜的方法是：（）。

A.PVD
B.热氧化
C.CVD
D.热扩散

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单项选择题

以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是（）。

A.调节MOS器件阈值电压
B.形成浅结
C.形成互连
D.MOS器件源漏精确掺杂

单项选择题

以下是物理气相沉积工艺中真空蒸镀法的缺点是（）。

A.设备简单，操作容易
B.工艺重复性不够理想
C.生长机理简单
D.所制备的薄膜纯度较高，厚度控制较精确，成膜速率快