单相可控硅由导通变为截止，要满足（）条件。

单项选择题单相可控硅由导通变为截止，要满足（）条件。

A.升高阳极电压
B.降低阴极电压
C.断开控制电路
D.正向电流小于最小维持电流

1.单项选择题普通晶闸管门极与阴极间的反向电阻比正向电阻（）。

A.稍大
B.基本相等
C.明显大一些
D.小一些

2.单项选择题用万用表测试好得单向晶闸管时，G、K极间正反向电阻应该（）。

A.都不大
B.都很大
C.都很小
D.一小一大

3.单项选择题晶闸管导通的条件是（）。

A.阳极和阴极间加正向电压，门极不加电压
B.阳极和阴极间加反向电压，门极和阴极间加正向电压
C.阳极和阴极、门极和阴极间都加正向电压
D.阳极和阴极间加正向电压，门极加反向电压

4.单项选择题关于单相晶闸管的构成，下述说法中正确地是（）。

A.可以等效的看成是由3个三极管构成的
B.可以等效的看成是由1个NPN，1个PNP三极管构成的
C.可以等效的看成是由2个NPN三极管构成的
D.可以等效的看成是由2个PNP三极管构成的

5.单项选择题增大Uce的动态范围使工作点Q下降是解决（）的办法。

A.截止失真
B.饱和失真
C.交越失真
D.零点漂移

6.单项选择题直流放大器存在的主要问题是（）。

A.截止失真
B.饱和失真
C.交越失真
D.零点漂移

7.单项选择题共发射极接法放大器（）。

A.输入Ib，输出Ie
B.输入Ib，输出Ic
C.输入Ie，输出Ic
D.输入Ie，输出Ie

8.单项选择题发射跟随器是由（）组成的。

A.共集放大电路
B.共射放大电路
C.共基放大电路
D.共源极放大电路

9.单项选择题晶体三极管要处于截止状态，必须满足（）。

A.发射结、集电结均正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结正偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结正偏

10.单项选择题晶体三极管要处于放大状态，必须满足（）。

A.发射结、集电结均正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结正偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结正偏