A.具有放大特性
B.具有单向导电性
C.具有改变电压特性
D.具有增强内电场特性
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A.温度提高导电能力提高
B.有两种载流子
C.电阻率很小,接近金属导体
D.参杂质后导电能力提高
A.PNP型半导体/NPN型半导体
B.N型半导体/P型半导体
C.PN结/PN结
D.P型半导体/N型半导体
A.很强/更强
B.很强/降低
C.很弱/提高
D.很弱/更弱
A.空穴/自由电子
B.自由电子/空穴
C.空穴/共价键电子
D.负离子/正离子
A.自由电子
B.空穴
C.束缚电子
D.晶格上的离子
A.自由电子
B.空穴
C.束缚电子
D.晶格上的离子
A.自由电子、空穴、位于晶格上的离子
B.无论P型还是N型半导体,自由电子、空穴都是导电介质
C.对于P型半导体,空穴是唯一的导电介质
D.对于N型半导体,空穴是唯一的导电介质
A.环境温度降低
B.掺杂金属元素
C.增大环境光照强度
D.掺杂非金属元素
A.升高/升高
B.降低/降低
C.升高/降低
D.降低/升高
A.只存在一种载流子:自由电子
B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体
D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成
最新试题
设v+、v-分别是理想运放的同相输入端、反相输入端的电位;设i+、i-分别是该两端的输入电流。若运放工作于线性区,则()。
在三极管共发射极放大电路中,如果基极偏置电流IB太大,将会产生非线性(),如果基极偏置电流IB太小,将会产生非线性()。
晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自于放大电路中的()。
可控硅导通的条件是()。
集成运算放大器的输入阻抗/输出阻抗特点是()。
运算放大器构成线形反相比例运算,为了减小运算误差,则在反相端输入信号电压时,其同相端应()。
理想的运算放大器应具有的特性是()。(Au开环电压放大倍数,ri输入电阻,r0输出电阻)
对于单管共射极基本放大电路,若静态工作点不合适,比较方便的做法是()。
晶体管作为开关使用时,主要工作于()。
当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数的值为()。