三极管工作在截止状态时其条件是（）。

单项选择题三极管工作在截止状态时其条件是（）。

A．发射结正向偏置，集电结反向偏置
B．发射结电压小于其死区电压
C．发射结集电结都正向偏置
D．集电结电压大于其死区电压

1.单项选择题无论是PNP型还是NPN型三极管，若工作在放大状态时其条件是（）。

A．发射结正向偏置，集电结反向偏置
B．发射结集电结都反向偏置
C．发射结集电结都正向偏置
D．视管子类型而定

2.单项选择题用万用表测试某电路中一个NPN型三极管的静态工作电压时，当UCE≈UCC时，可断定管子处于（）状态。

A．放大
B．饱和
C．短路
D．截止

3.单项选择题NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。

A．VC＞VE＞VB
B．VC＞VB＞VE
C．VC＞VB＞VE
D．VB＞VE＞VC

4.单项选择题测得某PNP型晶体管E极电位为0.4V，B极电位为1.2V，C极电位为1.5V，可判断出其工作状态为（）。

A．截止
B．饱和导通
C．线性放大
D．非线性放大

5.单项选择题晶体管中的“β”参数是（）。

A．电压放大系数
B．集电极最大功耗
C．电流放大系数
D．功率放大系数

6.单项选择题当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时，晶体管处于（）。

A．放大区
B．饱和区
C．截止区
D．放大或饱和区

7.单项选择题晶体三极管工作时，温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。

A．减小／右移
B．增大／右移
C．增大／左移
D．减小／左移

8.单项选择题晶体管工作在放大区的条件是（）。

A．发射结正向偏置，集电结反向偏置
B．发射结反向偏置，集电结正向偏置
C．发射结正向偏置，集电结正向偏置
D．发射结反向偏置，集电结反向偏置

9.单项选择题晶体管工作在饱和区的条件是（）。

A．发射结正向偏置，集电结反向偏置
B．发射结反向偏置，集电结正向偏置
C．发射结正向偏置，集电结正向偏置
D．发射结反向偏置，集电结反向偏置

10.单项选择题在静态时，无论基极偏置电流多大，无论是PNP型还是NPN型，三极管三个极电流总有（）。

A．IC=IB+IE
B．IB=IE+IC
C．IE=IB+IC
D．IE=（+1）IB