问答题简述材料强化的主要途径和原理。
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A.晶内偏析
B.晶相偏析
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D.缩松
3.单项选择题下述晶体缺陷中属于线缺陷的是（）
A.空位
B.位错
C.晶界
D.间隙原子
4.单项选择题密堆积结构的致密度为（）
A.0.68
B.0.74
C.0.8
D.1.0
5.问答题如何提高固溶体合金的强度？
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