形成固溶体后对晶体的性质将产生影响，主要表现为（）。

单项选择题形成固溶体后对晶体的性质将产生影响，主要表现为（）。

A.稳定晶格
B.活化晶格
C.固溶强化
D.A+B+C

1.单项选择题对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（）。

A.正离子空位
B.间隙负离子
C.负离子空位
D.A或B

2.单项选择题对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（）。

A.负离子空位
B.间隙正离子
C.间隙负离子
D.A或B

3.单项选择题位错的（）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。

A.攀移
B.滑移
C.增值
D.减少

4.单项选择题点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（）。

A.弗仑克尔缺陷
B.肖特基缺陷
C.杂质缺陷
D.A+B

5.单项选择题根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（）。

A.2
B.4
C.6
D.8

6.单项选择题对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（）。

A.沸石>萤石>MgO
B.沸石>MgO>萤石
C.萤石>沸石>MgO
D.萤石>MgO>沸石

7.单项选择题硅酸盐晶体的分类原则是（）。

A.正负离子的个数
B.结构中的硅氧比
C.化学组成
D.离子半径

8.单项选择题萤石晶体中Ca²⁺的配位数为8，F^-配位数为（）。

A.2
B.4
C.6
D.8

9.单项选择题萤石晶体可以看作是Ca²⁺作面心立方堆积，F⁺填充了（）。

A.八面体空隙的半数
B.四面体空隙的半数
C.全部八面体空隙
D.全部四面体空隙

10.单项选择题MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（）个MgO分子。

A.2
B.4
C.6
D.8