A.14
B.7
C.9
D.10
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A.半导体存储器包括RAM和ROM
B.Flash存储器是非易失性的
C.Cache是高速缓存
D.EPROM使用电擦除方式
A.MOVBL,BH
B.MOVDS,BLOCK[SI+BX]
C.MOVCS,2000H
D.INAL,DX
A.AX或CX、BX或CX
B.BX或BP、SI或DI
C.Sl或BX、DX或SI
D.DX或DI、CX或SI
A.Tl
B.T2
C.T3
A.0.8s
B.5s
C.ls
D.1.2s
A.0、0、l
B.0、三态、0
C.0、1、0
D.l、l、0
A.存储空间大小不同
B.产生总线控制信号的方式不同
C.可连接的I/O接口数目不同
D.指令执行速度不同
A.(00085H)(00084H)
B.(00022H)(00021H)
C.224AH
D.2250H
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