要实现这么好的能量分辨率，势必要考虑其它因素对能量分辨率的“败坏”问题，有什...

问答题要实现这么好的能量分辨率，势必要考虑其它因素对能量分辨率的“败坏”问题，有什么因素会使金硅面垒探测器测量到的能量分辨率变差呢？

1.问答题就统计学特性而言，PN结探测器能够实现很好的分辨率。如果只考虑统计涨落问题，一个5.486MeV的α粒子在金硅面垒探测器中的能量分辨率是多少？

～4keV

2.问答题载流子在产生之后会有哪些过程使之损失或无法形成信号？为什么希望载流子的寿命长？

3.问答题PN结探测器中的耗尽层是怎样形成的？耗尽层的存在与实现高能量分辨率有什么关系？

4.问答题在选择半导体作为探测器材料时，应考虑什么原则？

应该有大的电阻率，以减小漏电流和减小结电容；
应该有长的载流子寿命，以保证大体积下载流子的收集。

5.问答题电子和空穴的饱和漂移速度在什么量级？

～107cm/s

6.问答题“电子——空穴对”是如何产生的？

带电粒子在半导体中的电离，使得价带中的电子进入导带，形成电子－空穴对。

7.问答题半导体探测器具有非常好的能量分辨率特性和较高的本征探测效率，它的载流子是“电子——空穴对”。哪么产生一个“电子－空穴对”需要的平均电离能是多少？法诺因子的范围是多少？

～3eV。法诺因子：Si：0.085-0.16，Ge：0.057-0.129

8.问答题都是NaI探测器，体积相同，形状不同：1英吋（直径）×8英吋vs2英吋（直径）×2英吋。

后者大

9.问答题形状尺寸相同，原子序数相当，密度不同：密度大vs密度小。

前者大

10.问答题都是NaI探测器，体积不同：2英吋（直径）×2英吋vs3英吋（直径）×3英吋。

后者大