A.GTO和GTR;
B.TRIAC和IGBT;
C.MOSFET和IGBT;
D.SCR和MOSFET;
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A.149.2℃;
B.79.2℃;
C.70℃;
D.102℃;
A.选用低导通电阻的驱动管;
B.提高驱动管的驱动信号的边沿陡度;
C.提高开关频率;
D.A和B及减小开关频率;
A.限流
B.储能
C.阻止电流变化
D.瞬间储能
A.输入整流管
B.输出整流管
C.电压瞬变抑制管
D.信号检波管
A.限流电阻上电流变化;稳压管电压变化。
B.限流电阻上电流变化;稳压管电流变化。
C.限流电阻上电压变化;稳压管电压变化。
D.限流电阻上压降变化;稳压管电流变化。
A.该二极与负载电阻RL组成半波整流电路。
B.在负半周时,该二极管将变压器次级短接,烧坏二极管或变压器。
C.对电路正常工作不产生影响。
A.全波整流
B.半波整流
C.倍压整流
D.全桥整流
A.导电
B.不导电
C.导通
D.不导通
A.肖特基势垒
B.快速恢复
C.超快速恢复
D.普通
A.电感用于滤波、磁环套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、磁珠用于信号线抗射频干扰;
B.电感用于滤波、磁珠套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、磁环用于信号线抗射频干扰;
C.磁环用于滤波、磁珠套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、电感用于信号线抗射频干扰;
D.磁珠用于滤波、磁环套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、电感用于信号线抗射频干扰;
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