当原子中的电子处于低能级时,吸收光子的能量后从低能级跃迁到高能级----光吸收。
原子在没有外界干预的情况下,电子会由处于激发态的高能级E2自动跃迁至低能级E1,这种跃迁称为自发辐射。
本征半导体中掺入少量五价元素构成。
当T升高或光线照射时,产生自由电子空穴对的现象称为本征激发。
完全纯净的半导体称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。
电导率介于金属和绝缘体之间的材料称为半导体。
是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件,当某种物质受到光照时,载流子的浓度增加从而增加了电导率,这就是光电导效应。
将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低,是目前应用最广泛的电阻器。
最新试题
等离子体
一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的()达到了14nm量级
所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体。
AlAs的禁带宽度比GaAs大,晶格常数也更大。
在CMOS工艺中,最为昂贵的步骤是:()
本征光电导
TEM观测与SEM相同,对样品厚度没有要求。
硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。
提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小。