敏化剂

提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。

AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。

有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是4Å，其带隙有可能是（）eV

光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（）的情况。

所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体。

MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件。

光生伏特效应

通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。

一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的（）达到了14nm量级