A.控制点B.控制方式C.控制性质D.按控制信息的性质
在掺杂浓度NA=1015cm-3P型Si衬底上制作两个N沟MOS管,其栅SiO2层的厚度分别为100nm和200nm,若UGS-UFB=15V,则UDS为多少时,漏极电流达到饱和?
A.1979年B.1982年C.2003年D.1999年