一块1cm*4cm*0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4^-6μF，损耗因子tgδ为0.02。求：
①相对介电常数；
②损耗因素。

本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为：，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题：
（1）设N=10²³cm^-3，k=8.6”*10^-5eV.K^-1时，Si（Eg=1.1eV），TiO₂（Eg=3.0eV）在室温（20℃）和500℃时所激发的电子数（cm^-3）各是多少：
（2）半导体的电导率σ（Ω^-1.cm^-1）可表示为σ=neμ，式中n为载流子浓度（cm^-3），e为载流子电荷（电荷1.6*10^-19C），μ为迁移率（cm2.V^-1.s^-1）当电子（e）和空穴（h）同时为载流子时，。假定Si的迁移率μe=1450（cm².V^-1.s^-1），μh=500（cm2.V^-1.s^-1），且不随温度变化。求Si在室温（20℃）和500℃时的电导率

实验测出离子型电导体的电导率与温度的相关数据，经数学回归分析得出关系式为：
（1）试求在测量温度范围内的电导活化能表达式。
（2）若给定
T1=500K，σ1=10^-9（Ωcm）^-1
T2=1000K，σ2=10^-6（Ωcm）^-1
计算电导活化能的值。