多路电流源电路如图所示,已知所有晶体管的特性均相同,UBE均为0.7V。试求IC1、IC2各为多少。
已知几个集成运放的参数如表所示,试分别说明它们各属于哪种类型的运放。
Al为通用型运放,A2为高精度型运放,A3为高阻型运放,A4为高速型运放。
电路如图所示。已知电压放大倍数为-100,输入电压u1为正弦波,T2和T3管的饱和压降|UCES|=1V。试问: (1)在不失真的情况下,输入电压最大有效值Uimax为多少? (2)若Ui=10mV(有效值),则Uo=?若此时R3开路,则Uo=?若R3短路,则Uo=?
电路如图所示,T1~T5的电流放大系数分别为β1~β5,b-e间动态电阻分别为rbe1~rbe5,写出的表达式、Ri和RoH。
试写出图所示电路Ad和Ri的近似表达式。设T1和T2的电流放大系数分别为β1和β2,b-e间动态电阻分别为rbe1和rbe2。
电路如图所示,T1和T2的低频跨导gm均为10ms。试求解差模放大倍数和输入电阻。
电路如图所示,已知T1管和T2管的β均为140,rbe均为4kΩ。试问:若输入直流信号uI1=20mV,uI2=10mV,则电路的共模输入电压uIc=?差模输入电压uId=?输出动态电压?uo=?
如图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,rbb’=100Ω,UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时管T1和T2管的发射极静态电流IEQ,以及动态参数Ad和Ri。
电路如图所示,晶体管的β为200,rbe为3kΩ,场效应管的gm为15mS;Q点合适。求解、Ri和Ro。
电路如图(a)所示,晶体管的β均为150,rbe均为2kΩ,Q点合适。求解、Ri和Ro。
基本放大电路如图(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ。由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常工作。试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中 (1)哪些电路的输入电阻比较大; (2)哪些电路的输出电阻比较小; (3)哪个电路的最大。
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