A.与温度成正比
B.与温度成反比
C.与逆向偏压成正比
D.与顺向偏压成正比
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A.0.03mA
B.0.05mA
C.0.32mA
D.0.5mA
A.1:103
B.1:105
C.1:108
D.1:1012
A.空乏区宽度减小,等效电容变大
B.空乏区宽度减小,等效电容变小
C.空乏区宽度增加,等效电容变大
D.空乏区宽度增加,等效电容变小
如图之二极管在流通1mA电流时,两端的电压差为0.7V,若η=1且VT=25mV,则VD为()(计算时可参考底下的自然对数表)
A.0.7V
B.0.73V
C.0.76V
D.0.79V
A.1.245V
B.1.50mV
C.1.75mV
D.2.00mV
E.2.50mV
如图,稽纳(Zener)二极管之崩溃电压VZ=8V,此稽纳二极管之消耗功率大小为?()
A.16mW
B.64mW
C.24mW
A.0.7V
B.0.3V
C.5.7V
D.4.3V
A.6nA
B.18nA
C.30nA
D.48nA
如图为一稳压电路,若Vi=12V,DZ之稽纳电压为8V,则通过R的电流I=()?
A.0.04A
B.0.02A
C.0.1A
D.0.2A
A.8.5V
B.9.85V
C.10.15V
D.11.5V
最新试题
一般情况下锗管的反向电流可以达到()微安。
运放的输入级广泛采用了差分放大电路,它能有效放大的信号应该是()。
在()情况下,价电子被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即载流子),它的导电能力为0,相当于绝缘体。
在电路焊接的过程中需要()
硅稳压二极管必须在电源电压()它的稳压值时才能稳压。
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