问答题
现有一掺杂半导体硅材料,已测得室温(300K)下的平衡空穴浓度为p0=2.25*1016/cm3, 已知室温下纯净单晶硅的禁带宽度Eg=1.12eV, 本征载流子浓度ni=1.5*1010/cm3,室温的kT
值为0.026eV。
1)计算该材料的平衡电子浓度n0;
2)判别该材料的导电类型;
3)计算该材料的费米能级位置EF。
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