单项选择题PN二极管,欲使达到顺向偏压,则应在()

A.P加正极、N加正极
B.P加负极、N加正极
C.P加正极、N加负极
D.P加负极、N加负极


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1.单项选择题纯半导体内若掺入锑(Sb)元素的原子则形成()

A.N型半导体
B.P型半导体
C.本质半导体
D.带电半导体

3.单项选择题电荷的单位为()

A.焦耳
B.瓦特
C.法拉
D.库仑

5.单项选择题下列何者不为电子组件发展的方向?()

A.高精密度
B.高消耗功率
C.低成本
D.使用寿命长

6.单项选择题VLSI每芯片是含有()以上零件.

A.10个
B.100个
C.1000个
D.10000

7.单项选择题微处理机的功能和()的功能相同.

A.输入设备
B.输出装置
C.记忆单元
D.中央处理机(CPU)

8.单项选择题以下何者为大规模集成电路?()

A.SSI
B.MSI
C.LSI
D.VLSI

9.单项选择题SSI之IC其逻辑闸有()

A.100个以下
B.1000个以下
C.12个以下
D.以上皆非

10.单项选择题电子学未来发展趋势以()为发展导向.

A.三极管
B.晶体管
C.计算器
D.集成电路