问答题

【简答题】硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？

答案：从硅气相外延工艺原理可知，硅外延生长的表面外延过程是外延剂在衬底表面被吸附后分解出Si原子，他迁移到达结点位置停留，之后...

你可能感兴趣的试题

【简答题】比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点？

答案： CZ法工艺成熟可拉制大直径硅锭，但受坩锅熔融带来的O等杂质浓度高，存在一定杂质分布，因此，相对于MCZ和FZ法，生长的硅...

【简答题】从短期看，太阳能电池的发展趋势怎样？

答案：今后发展的重点仍是硅太阳能电池特别是多晶硅和非晶硅薄膜电池，提高转换效率和降低成本是太阳能电池制备中考虑的两个主要因素。...