用MOS管作基本元件组成的逻辑电路叫做MOS集成逻辑电路。

栅极电压为零时已经形成导电沟道，必须在栅极上加上负电压，才使沟道消失，称为耗尽型NMOS管。

栅极电压为正时形成导电沟道的NMOS管，称为增强型NMOS管。

指栅极电压每变化1伏引起漏、源之间电流的变化量。

对MOS管来说，刚开始形成沟道而使D.S导通的最小栅极电压。

对NMOS管来说，当栅极上加上正电位时，如在漏极和源极间也加上正电压，则漏源之间流过的电流叫做漏电流。

是金属--氧化物--半导体场效应管的英文缩写。