单项选择题半导体中的载流子为()。

A、正离子
B、负离子
C、电子
D、自由电子和空穴


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1.单项选择题硅管与锗管的死区电压分别为()。

A、0.7,0.3
B、0.3,0.7
C、0.5,0.2
D、0.2,0.5

2.单项选择题N型半导体中的自由电子是()形成的。

A、掺杂
B、能量击发
C、掺杂与能量击发

3.单项选择题交流放大电路中的能量来源于()。

A、输入信号
B、输出信号
C、三极管的放大作用
D、集电极电源

4.单项选择题放大器接入负载后电压放大倍数会()。

A、增大
B、减小
C、不变

5.单项选择题射极输出器输出电压与输入电压的相位关系()。

A、同相
B、反相
C、相差90°

6.单项选择题井下低压供电系统的两项短路电流为三相短路电流的()倍。

A.1/0.886
B.0.886
C.0.866
D.1/1.732

7.单项选择题绕线型三相异步电动机的启动电流为额定电流的()倍

A.1.5~2.5
B.1.5~1.8
C.2~3
D.3.2~4.5

9.单项选择题采煤机的失效截齿不得大于()

A.1/5
B.1/10
C.1/8
D.1/12

10.单项选择题便电峒为7M时最少可以设()个出口

A.1
B.2
C.3
D.4