为何热氧化时要控制钠离子含量？降低钠离子污染的措施有哪些？

问答题为何热氧化时要控制钠离子含量？降低钠离子污染的措施有哪些？

1.问答题影响热氧化层电性的电荷来源有哪些类型？降低这些电荷浓度的措施？

2.问答题影响氧化速率的因素有？

温度、气体分压、硅晶向、掺杂

3.问答题热氧化工艺有哪些？

有干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化

4.问答题氧化硅的主要作用有哪些？

1、作为掩膜，
2、作为芯片的钙化和保护膜，
3、作为电隔离膜，
4、作为元器件的组成部分。

5.问答题SiO₂中杂质有哪些类型？

替代式杂质、间隙式杂质

6.问答题何谓桥键氧，非桥键氧？它们对SiO₂密度有何影响？

7.问答题何谓掺杂？

8.问答题SiO₂按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO₂属于哪一类？

二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形，热氧化生长的SiO₂为非结晶态。

9.问答题 CMP（CMP-chemical mechanical polishing）包括哪些过程？

包括：边缘抛光：分散应力，减少微裂纹，降低位错排与滑移线，降低因碰撞而产生碎片的机会。表面抛光：粗抛光，细抛光，精抛光

10.问答题硅片研磨及清洗后腐蚀的方法有哪些？

腐蚀方式：喷淋及浸泡